为提升输出功率以及解码能力，特高耳机采用了DACES9018+TIOPA1612的组合，有效降低噪声失真及播放驱动力。

压项图2.CVD法制备石墨烯演示图2.2石墨烯生长的化学热力学与动力学薄膜生长的反应是活性反应物种在基底表面相互作用的过程。3.石墨烯在金属基底的生长3.1石墨烯生长机制研究不同金属衬底有着不同的熔点、目最溶碳量和催化活性等特性，目最显著影响着石墨烯的生长条件和生长机制，从而导致石墨烯质量和均匀性的差异。

图16.松香无损转移石墨烯：新进不同有机分子在石墨烯表面的吸附能相对地，无胶转移的方法可以有效地减少石墨烯转移过程中引入的污染物。特高AB堆垛双层石墨烯能带是类抛物线结构。近5年来，压项在国际及双边重要学术会议上做邀请报告40余次，筹划和组织国际和双边会议6次。

由于减小碳源气体分压会导致石墨烯的生长速度减小，目最甚至生长中途停止，无法得到连续的石墨烯薄膜。新进图15.基底刻蚀法转移石墨烯及表面污染高聚物辅助转移是最早被采用转移石墨烯的方法。

在Cu表面生长单层石墨烯的过程主要包括（碳源前驱体以甲烷为例：特高(1)CH4在Cu表面的吸附与催化分解形成活性C碎片(CHx,x=0-3)(2)活性C碎片的表面迁移(3)活性C碎片形成稳定石墨烯核(4)石墨烯核的长大，特高进而畴区拼接成连续薄膜。

压项c.多晶石墨烯薄膜的结构表征。CVD反应过程主要由升温、目最基底热处理、石墨烯生长和冷却四部分构成。

澳大利亚卧龙岗大学名誉教授、新进华东理工大学名誉教授、香港浸会大学杰出客座教授。任文才课题组[13]提出采用小分子松香树脂作为转移介质，特高由于小分子松香不具有长链结构，特高与石墨烯相互作用弱，并利用其易溶于有机溶剂等特点，从而实现大面积石墨烯薄膜清洁、无损转移。

压项石墨烯制备过程中有时采用化学性质稳定的氩气作为载气来调控碳源的浓度和体系压强。因此，目最氢气对石墨烯的生长和刻蚀二者之间是一个平衡过程。